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    晶圆代工

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    0.5μm GaN/SiC HEMT工艺

    工作频段：6GHz及以下，，，主要用于功率管芯制作。。

    0.5μm GaN/SiC HEMT工艺(图1)

    1-21091411363WL.PNG  1-210914113A1330.PNG  0.5μm GaN/SiC HEMT工艺(图4)

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